Topic【ナノ材料】 四塩化ケイ素からシリコンワイヤーの成長, Growth of silicon wires from SiCl4

稲澤晋准教授は、四塩化ケイ素(SiCl4)を用いた亜鉛還元反応によるシリコンワイヤーの成長過程を連続的に観察する事によって、蒸気−液体−固体成長法(VLS成長法)の「速度」のデータを得ました。シリコンワイヤーの成長についての研究はこれまでにも数多く行われていますが、「速度」に関するデータはこれまでほとんど発表されていませんでした。この研究は、重要な基礎データとして、関連したナノ材料の今後の発展に役立ちます。
** 四塩化珪素は多結晶シリコンの製造工程で発生する「廃棄物」です。

詳しくはJournal of Crystal Growth (2015)をご覧ください。

シリコンワイヤー成長の過程

Prof. Inasawa made the in-situ observation of the growth of individual silicon wires in the zinc reduction of SiCl4. Through this research, they obtained some fundamental data of VLS (vapor–liquid–solid) growth. Although there have been many studies on silicon wire growth, hardly any kinetic data have been reported even for wire growth. This research is thus valuable and necessary in future development of nanomaterials.
** SiCl4 is a byproduct (“waste”) from the process for making poly-crystalline silicon.

For further reading: Journal of Crystal Growth, 2015

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